由 dawei
从长远来看，imec 探索了其他更奇特的 MRAM 设备实现，这些设备承诺更高密度的 MRAM 位单元：domain-wall设备。在这些设备中，输入信息在magnetic domain walls,中编码，magnetic domain walls将具有不同磁化强度的区域分开。该器件是通过使用magnetic domain walls沿磁道的运动来操作的。这种运动可以由自旋轨道扭矩控制。在这样的构造中，并非每个位单元都需要读出传感器，因为magnetic domain walls本身可以连接到读出单元——这些单元仅安装在几个选定的位置。因此，可以实现有限数量的读出，从而允许显着增加存储器的密度。
到目前为止，由于 缺乏在纳米尺度上读写它们的电气手段，因此无法通过实验证明完整功能的magnetic domain walls器件。Imec 可以首次展示完整运行的纳米级magnetic domain walls设备（在 300 毫米晶圆上制造），使用专门设计的垂直 MTJ 进行电读写。这项研究的结果最近在 Nature Electronics 中有所描述。
除了高内存密度之外，使用domain walls设备进行内存应用还有第二个优势。自旋力矩多数门形式的domain walls器件也被认为是高性能逻辑应用的进一步选择。但随后您需要一个平台，让逻辑和内存可以紧密结合在一起。domain walls存储器可以在那里发挥重要作用，因为您可以潜在地将逻辑和存储器连接到相同的磁道上。