由 dawei
由于EUV设备太过昂贵，且生产难度很高，近些年，业界一直在寻找其它办法，不用EUV光刻机，能不能生产7nm及以下的芯片？
事实上，也有厂商是这么想并打算这么干的，因为通过DUV光刻机进行多重曝光，理论上也能达到7nm。但这种办法非常复杂，对技术要求非常高，同时良率低，晶圆的损耗比较大，所以如果能够买到EUV光刻机，就不可能用这种办法，这种办法生产出来的芯片，完全没有市场竞争力。
纳米压印光刻 (NIL)、定向自组装 (DSA) 和等离子激光等技术被认为是EUV的替代品。
NIL 是一种将纳米图案印章转移到晶圆上的方法，就像它被涂漆一样。它被提出作为一种绘制 32nm 以下电路的方法。它比 EUV 更经济，因为它不使用镜头。
佳能等厂商在 EUV 研发如火如荼的时候就开始开发 NIL。DSA是一种通过将具有不同特性的聚合物合成为单个分子，将其涂覆在晶圆上并加热来获得精细图案的技术。由于不使用掩模，可以减少工艺数量，从而可以降低成本。
然而，就所使用的技术而言，它不如 NIL。此外，无掩模等离子激光纳米技术被认为是一种替代方案，因为它具有自由改变电路图案的能力。然而，它仍达不到 EUV的效果。